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FCPF150N65F Image

ON Semiconductor FCPF150N65F

Numéro de pièce MFG
FCPF150N65F
quantité disponible
80600 Pièces
Prix de référence
USD 3.208
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCPF150N65F.pdf
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FCPF150N65F Caractéristiques

Référence fabricant FCPF150N65F
Numéro de pièce future FT-FCPF150N65F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FCPF150N65F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 14.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3737pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220F
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCPF150N65F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCPF150N65F-FT

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