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Référence fabricant | RFG60P05E |
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Numéro de pièce future | FT-RFG60P05E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RFG60P05E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 450nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 215W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFG60P05E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RFG60P05E-FT |
GP2M004A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065FG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050FG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M007A080F
Global Power Technologies Group
GP2M008A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060FGH
Global Power Technologies Group
GP2M009A090FG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060F
Global Power Technologies Group
GP2M010A065F
Global Power Technologies Group
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel