maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQH44N10
Référence fabricant | FQH44N10 |
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Numéro de pièce future | FT-FQH44N10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQH44N10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 180W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQH44N10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQH44N10-FT |
GP1M015A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M016A025FG
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GP1M016A060F
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GP1M016A060FH
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GP1M018A020FG
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GP2M002A060FG
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GP2M002A065FG
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GP2M004A060FG
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GP2M004A065FG
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GP2M005A050FG
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
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AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
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Intel
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Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel