maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GP1M016A060FH
Référence fabricant | GP1M016A060FH |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GP1M016A060FH |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP1M016A060FH Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3039pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 48W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M016A060FH Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP1M016A060FH-FT |
IRFU3710Z
Infineon Technologies
IRFU3710Z-701P
Infineon Technologies
IRFU3710ZPBF
Infineon Technologies
IRFU3711
Infineon Technologies
IRFU3711PBF
Infineon Technologies
IRFU3711ZPBF
Infineon Technologies
IRFU3806PBF
Infineon Technologies
IRFU3910
Infineon Technologies
IRFU3911PBF
Infineon Technologies
IRFU4104PBF
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel