maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFU3910
Référence fabricant | IRFU3910 |
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Numéro de pièce future | FT-IRFU3910 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFU3910 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 79W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | IPAK (TO-251) |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3910 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFU3910-FT |
IPN50R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R950CEATMA1
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IPN60R1K0CEATMA1
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IPN60R2K1CEATMA1
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IPN60R360P7SATMA1
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IPN65R1K5CEATMA1
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IPN70R1K2P7SATMA1
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IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel