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Référence fabricant | IPN65R1K5CEATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPN65R1K5CEATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ CE |
IPN65R1K5CEATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223 |
Paquet / caisse | TO-261-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN65R1K5CEATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPN65R1K5CEATMA1-FT |
AUIRF7759L2TR
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