maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPL60R065P7AUMA1
Référence fabricant | IPL60R065P7AUMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPL60R065P7AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P7 |
IPL60R065P7AUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 41A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2895pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 201W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-VSON-4 |
Paquet / caisse | 4-PowerTSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R065P7AUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPL60R065P7AUMA1-FT |
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
BUZ80A
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M1A3P400-FGG256
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