maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AUIRF7759L2TR
Référence fabricant | AUIRF7759L2TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AUIRF7759L2TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
AUIRF7759L2TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 375A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 96A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12222pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DIRECTFET L8 |
Paquet / caisse | DirectFET™ Isometric L8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7759L2TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AUIRF7759L2TR-FT |
IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA65R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
BUZ80A
Infineon Technologies
IPA029N06NXKSA1
Infineon Technologies
IPA030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel