maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPA60R120P7XKSA1
Référence fabricant | IPA60R120P7XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPA60R120P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P7 |
IPA60R120P7XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1544pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 28W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220 Full Pack |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R120P7XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPA60R120P7XKSA1-FT |
BSP320SL6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP321PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP322PL6327HTSA1
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BSP324 E6327
Infineon Technologies
BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP372 E6327
Infineon Technologies
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel