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Infineon Technologies BSP372 E6327

Numéro de pièce MFG
BSP372 E6327
quantité disponible
92320 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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BSP372 E6327 Caractéristiques

Référence fabricant BSP372 E6327
Numéro de pièce future FT-BSP372 E6327
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
BSP372 E6327 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 1.7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±14V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-SOT223-4
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP372 E6327 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSP372 E6327-FT

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