maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPU08P06P
Référence fabricant | SPU08P06P |
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Numéro de pièce future | FT-SPU08P06P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
SPU08P06P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.83A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 42W (Tc) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPU08P06P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPU08P06P-FT |
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