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Infineon Technologies SPU11N10

Numéro de pièce MFG
SPU11N10
quantité disponible
24570 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SPU11N10.pdf
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SPU11N10 Caractéristiques

Référence fabricant SPU11N10
Numéro de pièce future FT-SPU11N10
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
SPU11N10 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 21µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur P-TO251-3-1
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPU11N10 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SPU11N10-FT

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