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Infineon Technologies IRFHM8235TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRFHM8235TRPBF
quantité disponible
54830 Pièces
Prix de référence
USD 0.249904
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFHM8235TRPBF.pdf
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IRFHM8235TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFHM8235TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRFHM8235TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRFHM8235TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8235TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFHM8235TRPBF-FT

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