maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPA80R1K0CEXKSA2
Référence fabricant | IPA80R1K0CEXKSA2 |
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Numéro de pièce future | FT-IPA80R1K0CEXKSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ CE |
IPA80R1K0CEXKSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 32W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R1K0CEXKSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPA80R1K0CEXKSA2-FT |
BSP321PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP324 E6327
Infineon Technologies
BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP372 E6327
Infineon Technologies
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP373 E6327
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel