maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HUF75344G3
Référence fabricant | HUF75344G3 |
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Numéro de pièce future | FT-HUF75344G3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UltraFET™ |
HUF75344G3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 285W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75344G3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HUF75344G3-FT |
GP2M005A050FG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060FG
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GP2M007A080F
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GP2M008A060FG
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GP2M008A060FGH
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GP2M009A090FG
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GP2M010A060F
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GP2M012A060F
Global Power Technologies Group
GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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