maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GP2M012A060F
Référence fabricant | GP2M012A060F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GP2M012A060F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP2M012A060F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 53.4W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M012A060F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP2M012A060F-FT |
IRFU4615PBF
Infineon Technologies
IRFU4620PBF
Infineon Technologies
IRFU48ZPBF
Infineon Technologies
IRFU5305
Infineon Technologies
IRFU540ZPBF
Infineon Technologies
IRFU5410
Infineon Technologies
IRFU5505
Infineon Technologies
IRFU6215
Infineon Technologies
IRFU7540PBF
Infineon Technologies
IRFU7546PBF
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel