maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFU6215
Référence fabricant | IRFU6215 |
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Numéro de pièce future | FT-IRFU6215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFU6215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | IPAK (TO-251) |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU6215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFU6215-FT |
IPN70R900P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K4P7ATMA1
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IPN80R2K0P7ATMA1
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IPN80R3K3P7ATMA1
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IPN80R4K5P7ATMA1
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IPN80R900P7ATMA1
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IPN95R1K2P7ATMA1
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IPN95R2K0P7ATMA1
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AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
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XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel