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Référence fabricant | IPN80R600P7ATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPN80R600P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P7 |
IPN80R600P7ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 500V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 7.4W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223 |
Paquet / caisse | TO-261-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN80R600P7ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPN80R600P7ATMA1-FT |
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R285P7AUMA1
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IPL60R365P7AUMA1
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IPL65R070C7AUMA1
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IPL65R099C7AUMA1
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IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R165CFDAUMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel