maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPL65R099C7AUMA1
Référence fabricant | IPL65R099C7AUMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPL65R099C7AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ C7 |
IPL65R099C7AUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 5.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2140pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 128W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-VSON-4 |
Paquet / caisse | 4-PowerTSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL65R099C7AUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPL65R099C7AUMA1-FT |
IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120C7XKSA1
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IPA60R125C6XKSA1
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IPA60R125P6XKSA1
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IPA60R180C7XKSA1
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IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
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XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
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