maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPA60R125P6XKSA1
Référence fabricant | IPA60R125P6XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPA60R125P6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P6 |
IPA60R125P6XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 11.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 960µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 34W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R125P6XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPA60R125P6XKSA1-FT |
BSP92P E6327
Infineon Technologies
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies
SPN01N60C3
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SPN02N60C3
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SPN02N60C3 E6433
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SPN02N60S5
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SPN03N60C3
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SPN03N60S5
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SPN04N60S5
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BSA223SP
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EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
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