maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPN03N60S5
Référence fabricant | SPN03N60S5 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SPN03N60S5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPN03N60S5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 700mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 135µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPN03N60S5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPN03N60S5-FT |
BSP149H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP318SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP716NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP123E6327T
Infineon Technologies
BSP123L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125 E6327
Infineon Technologies
BSP125 E6433
Infineon Technologies
BSP125H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel