maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSP123L6327HTSA1
Référence fabricant | BSP123L6327HTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSP123L6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSP123L6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 370mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 370mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.79W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP123L6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSP123L6327HTSA1-FT |
IRLH6224TRPBF
Infineon Technologies
IRLH7134TR2PBF
Infineon Technologies
IRLHM620TRPBF
Infineon Technologies
IPB10N03LB
Infineon Technologies
IPB10N03LB G
Infineon Technologies
IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R600CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel