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Infineon Technologies SPN02N60C3 E6433

Name: SPN02N60C3 E6433
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPN02N60C3 E6433
Availability: InStock
Rating: 4.5 (808 reviews)

Numéro de pièce MFG: SPN02N60C3 E6433

quantité disponible: 12320 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SPN02N60C3 E6433.pdf

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SPN02N60C3 E6433 Caractéristiques

Référence fabricant	SPN02N60C3 E6433
Numéro de pièce future	FT-SPN02N60C3 E6433
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™
SPN02N60C3 E6433 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	400mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-SOT223-4
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPN02N60C3 E6433 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SPN02N60C3 E6433-FT

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