maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFU7540PBF
Référence fabricant | IRFU7540PBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFU7540PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRFU7540PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 66A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 140W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | IPAK (TO-251) |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU7540PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFU7540PBF-FT |
IPN80R1K2P7ATMA1
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IPN80R1K4P7ATMA1
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XC2V8000-4FFG1152I
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XC2V1500-5FF896I
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