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ON Semiconductor FCP110N65F

Numéro de pièce MFG
FCP110N65F
quantité disponible
89310 Pièces
Prix de référence
USD 4.264
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCP110N65F.pdf
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FCP110N65F Caractéristiques

Référence fabricant FCP110N65F
Numéro de pièce future FT-FCP110N65F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FRFET®, SuperFET® II
FCP110N65F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4895pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 357W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP110N65F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCP110N65F-FT

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