maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMC8884-F126
Référence fabricant | FDMC8884-F126 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDMC8884-F126 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMC8884-F126 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta), 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta), 18W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC8884-F126 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMC8884-F126-FT |
FQI10N60CTU
ON Semiconductor
FQI11P06TU
ON Semiconductor
FQI12N50TU
ON Semiconductor
FQI12N60CTU
ON Semiconductor
FQI12N60TU
ON Semiconductor
FQI13N06LTU
ON Semiconductor
FQI13N06TU
ON Semiconductor
FQI15P12TU
ON Semiconductor
FQI16N25CTU
ON Semiconductor
FQI17N08LTU
ON Semiconductor