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Référence fabricant | FDMC8884-F126 |
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Numéro de pièce future | FT-FDMC8884-F126 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMC8884-F126 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta), 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta), 18W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC8884-F126 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMC8884-F126-FT |
FQI10N60CTU
ON Semiconductor
FQI11P06TU
ON Semiconductor
FQI12N50TU
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FQI12N60CTU
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FQI12N60TU
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FQI13N06LTU
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FQI13N06TU
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FQI15P12TU
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FQI16N25CTU
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FQI17N08LTU
ON Semiconductor
XCV50-6TQ144C
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LCMXO2-256HC-4SG32C
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LFE5UM-45F-8BG554C
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M1AGL250V5-VQ100
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EPF10K100ABC600-1
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5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
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XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation