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Référence fabricant | ES1LJHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1LJHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1LJHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1LJHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1LJHM2G-FT |
HS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
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EP3C25F256A7N
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5SGXMA4K2F40C1N
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10CL016ZE144I8G
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5AGXMA3D4F27I3N
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A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel