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Référence fabricant | SS12 R3G |
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Numéro de pièce future | FT-SS12 R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS12 R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12 R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS12 R3G-FT |
S1DLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHR3G
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A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
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XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel