maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S1JL RVG
Référence fabricant | S1JL RVG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S1JL RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1JL RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JL RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1JL RVG-FT |
ES1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel