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Référence fabricant | ES1DL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1DL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1DL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1DL M2G-FT |
SS25L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation