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Référence fabricant | ES1BL RVG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1BL RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1BL RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BL RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1BL RVG-FT |
SS24LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L MTG
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SS25L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L RTG
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SS25L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
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A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
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5SGXMA3K2F35C2N
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Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
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10AX115R3F40I2SG
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