maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1J R3G
Référence fabricant | ES1J R3G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1J R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1J R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1J R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1J R3G-FT |
S1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-FG256I
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MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
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5SGSED8N1F45C2L
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5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation