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EPC8010 Image

EPC EPC8010

Numéro de pièce MFG
EPC8010
quantité disponible
51210 Pièces
Prix de référence
USD 0.7056
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
EPC
Brève description
eGaN® GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
EPC8010.pdf
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EPC8010 Caractéristiques

Référence fabricant EPC8010
Numéro de pièce future FT-EPC8010
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries eGaN®
EPC8010 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.48nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Die
Paquet / caisse Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC8010 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EPC8010-FT

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