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EPC EPC2105ENG

Name: EPC2105ENG
Brand: EPC
SKU: EPC2105ENG
Availability: InStock
Rating: 4.7 (134 reviews)

Numéro de pièce MFG: EPC2105ENG

quantité disponible: 42990 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: EPC

Brève description: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: EPC2105ENG.pdf

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EPC2105ENG Caractéristiques

Référence fabricant	EPC2105ENG
Numéro de pièce future	FT-EPC2105ENG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	eGaN®
EPC2105ENG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	Die
Package d'appareils du fournisseur	Die
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2105ENG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	EPC2105ENG-FT

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