maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMD12T2R
Référence fabricant | EMD12T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMD12T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMD12T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD12T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMD12T2R-FT |
RN4907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4983,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4987,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4985,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-BGG456
Microsemi Corporation
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC4020XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP1C4F400C8N
Intel
EP4CGX22CF19I7
Intel