maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN1901,LF(CT
Référence fabricant | RN1901,LF(CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN1901,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1901,LF(CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | US6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1901,LF(CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1901,LF(CT-FT |
RN2905FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4982FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4983FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4986FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4987FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4028XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-2XB
Intel
XC7K325T-2FFG900C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400BC652-2
Intel