maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN4987FE,LF(CT
Référence fabricant | RN4987FE,LF(CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN4987FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN4987FE,LF(CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz, 200MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | ES6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4987FE,LF(CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN4987FE,LF(CT-FT |
PBLS6023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6024D,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,125
Nexperia USA Inc.
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX16-3FT256I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
EPF10K30AFC256-2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2N
Intel
5SGXMA5K3F35C2N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel