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Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CT

Numéro de pièce MFG
RN4987FE,LF(CT
quantité disponible
18390 Pièces
Prix de référence
USD 0.03864
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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RN4987FE,LF(CT Caractéristiques

Référence fabricant RN4987FE,LF(CT
Numéro de pièce future FT-RN4987FE,LF(CT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RN4987FE,LF(CT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 50V
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz, 200MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur ES6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN4987FE,LF(CT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RN4987FE,LF(CT-FT

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