maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN1901FETE85LF
Référence fabricant | RN1901FETE85LF |
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Numéro de pièce future | FT-RN1901FETE85LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1901FETE85LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | ES6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1901FETE85LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1901FETE85LF-FT |
PIMD2,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,125
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RN1601(TE85L,F)
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RN1604(TE85L,F)
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