maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN4907,LF
Référence fabricant | RN4907,LF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN4907,LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN4907,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | US6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4907,LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN4907,LF-FT |
RN1906FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4982FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4983FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C6
Intel
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-1FF900I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N4F45I3SG
Intel
EP1S30F1020C7
Intel