maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / RN1902T5LFT
Référence fabricant | RN1902T5LFT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN1902T5LFT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1902T5LFT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | US6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1902T5LFT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1902T5LFT-FT |
RN4983FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4986FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4987FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2901FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage