Référence fabricant | EG01V1 |
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Numéro de pièce future | FT-EG01V1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EG01V1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 700mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 700mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EG01V1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EG01V1-FT |
SJPA-H3V
Sanken
SJPA-L3V
Sanken
SJPB-D4V
Sanken
SJPB-D6V
Sanken
SJPB-D9V
Sanken
SJPB-D9VL
Sanken
SJPB-H4V
Sanken
SJPB-H6V
Sanken
SJPB-H9V
Sanken
SJPB-L4V
Sanken
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel