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Référence fabricant | SJPB-H6V |
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Numéro de pièce future | FT-SJPB-H6V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SJPB-H6V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 690mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SJP |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-H6V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SJPB-H6V-FT |
124NQ060-1
SMC Diode Solutions
124NQ060R-1
SMC Diode Solutions
125NQ015-1
SMC Diode Solutions
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129NQ135-1
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129NQ135R-1
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129NQ150-1
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129NQ150R-1
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180NQ035-1
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A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel