maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SJPB-H9V
Référence fabricant | SJPB-H9V |
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Numéro de pièce future | FT-SJPB-H9V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SJPB-H9V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SJP |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-H9V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SJPB-H9V-FT |
124NQ060R-1
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125NQ015-1
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Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
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10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel