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Référence fabricant | SJPB-D4V |
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Numéro de pièce future | FT-SJPB-D4V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SJPB-D4V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SJP |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-D4V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SJPB-D4V-FT |
123NQ100-1
SMC Diode Solutions
123NQ100R-1
SMC Diode Solutions
124NQ035-1
SMC Diode Solutions
124NQ040-1
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124NQ045-1
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124NQ060-1
SMC Diode Solutions
124NQ060R-1
SMC Diode Solutions
125NQ015-1
SMC Diode Solutions
125NQ015R-1
SMC Diode Solutions
126NQ200-1
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XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel