maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDFA364A3PM-GD-F-D
Référence fabricant | EDFA364A3PM-GD-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDFA364A3PM-GD-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDFA364A3PM-GD-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFA364A3PM-GD-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDFA364A3PM-GD-F-D-FT |
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel