maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
Référence fabricant | MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (512M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR-FT |
MT44K64M18RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
NV25M01DTUTG
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AT88SC0104CA-MJ
Microchip Technology
AT88SC0104CA-MJTG
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AT88SC25616C-MJ
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CAT24C32WI-GT3HP
ON Semiconductor
DS28E10P+T
Maxim Integrated
APA750-FG896A
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AGLN125V2-VQ100I
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AT40K20AL-1CQC
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EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
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A42MX09-PQG100I
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LCMXO2-4000HE-6FG484C
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EP2AGX190FF35C4N
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