maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS28E10P+T
Référence fabricant | DS28E10P+T |
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Numéro de pièce future | FT-DS28E10P+T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS28E10P+T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - OTP |
Taille mémoire | 224b (28 x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | 1-Wire® |
Tension - Alimentation | 2.8V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E10P+T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS28E10P+T-FT |
AT45DQ321-MWHFHJ-T
Adesto Technologies
AT45DQ321-MWHFHK-T
Adesto Technologies
FM25V20A-PG
Cypress Semiconductor Corp
FT24C128A-ESG-T
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C32A-ETR-T
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FT24C64A-ESG-B
Fremont Micro Devices Ltd
GD25LE128DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE16CLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
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Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
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XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
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5AGZME1H3F35C4N
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