maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR
Référence fabricant | MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1866MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR-FT |
NV25M01DTUTG
ON Semiconductor
AT88SC0104CA-MJ
Microchip Technology
AT88SC0104CA-MJTG
Microchip Technology
AT88SC25616C-MJ
Microchip Technology
CAT24C32WI-GT3HP
ON Semiconductor
DS28E10P+T
Maxim Integrated
EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PF-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PR-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel