maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR
Référence fabricant | MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 24Gb (768M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR-FT |
CAT24C32WI-GT3HP
ON Semiconductor
DS28E10P+T
Maxim Integrated
EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PF-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PR-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBA232B2PB-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDFP164A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFP164A3PD-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EM-10 16GB I-GRADE
Swissbit
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel