maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EM-10 16GB I-GRADE
Référence fabricant | EM-10 16GB I-GRADE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EM-10 16GB I-GRADE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EM-10 |
EM-10 16GB I-GRADE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (MLC) |
Taille mémoire | 16GB |
Fréquence d'horloge | 52MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | eMMC |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 153-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 153-BGA (11.5x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM-10 16GB I-GRADE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM-10 16GB I-GRADE-FT |
GD25LE32DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CHIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel