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Référence fabricant | EM-10 16GB I-GRADE |
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Numéro de pièce future | FT-EM-10 16GB I-GRADE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EM-10 |
EM-10 16GB I-GRADE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (MLC) |
Taille mémoire | 16GB |
Fréquence d'horloge | 52MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | eMMC |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 153-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 153-BGA (11.5x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM-10 16GB I-GRADE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM-10 16GB I-GRADE-FT |
GD25LE32DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CHIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CZIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel